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广州-名表-大牌手表批发市场一手货源

来源:1609218634@qq.com 更新时间:2024-04-24 06:23 发布时间:  浏览:129

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在FinFET逐渐走到极限之后,先进半导体工艺将在3nm节点逐渐转向GAAFET。三星在2021国产IP与定制芯片生态大会上,公开新工艺路线图,除了宣布将在2020年量产3nm GAE(gate-all-around early)外,同时披露3nm GAP(gate-all-around plus)将在2023年量产。

  有趣的是,路线图上没有了3nm GAE的身影,意味着三星GAE公可能会转向自家的LSI部门。至于路线图上没有看到GAE的情况,Anandtech在与三星取得联系后获悉,3nm GAE技术有望在2022年实现量产,但不是所有人都能够用上。

  三星最早在2019年5月公布基于MBCFET晶体管结构的3GAE和3GAP节点,并承诺与7LPP相比,3GAE可提升35%的性能、减少45%的面积和降低50%的功耗。

  三星还公布了3nm PDK v0.1的可用性,宣称将于2021年底开启3GAE的量产。最新消息称受多方面因素的影响,三星延期至2022年。而且三星已经在数周前完成首批3nm测试芯片的流片,并公布与新制造技术兼容的Synopsys EDA工具。AnandTech认为,使用全新晶体管制造芯片是一项艰巨的挑战。除了新的电子设计自动化(EDA)工具,厂商还需动用全新的IP,预计后续可听到更多有关这方面的消息披露。

  尽管普通客户可能要等到2023年,才会用上三星的3nm制程。但三星新发布的4LPP工艺仍将于2022年满足大部分客户的需求。原因在于4LPP使用相当成熟的FinFET工艺,其面临的设计挑战比3nm GAA工艺小得多。FinFET技术方面,5LPP和4LPP节点都是路线图上的新节点,分别将于2021/2022年开启大批量制造(HVM)。


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